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中科院 1區(qū) 期刊 JCR Q1 期刊 中科院 2區(qū) 期刊 JCR Q2 期刊 中科院 3區(qū) 期刊 JCR Q3 期刊 中科院 4區(qū) 期刊 JCR Q4 期刊Ieee Transactions On Electron Devices SCIE
國(guó)際簡(jiǎn)稱：IEEE T ELECTRON DEV 參考譯名：IEEE Transactions On Electron Devices
主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣 非預(yù)警期刊 審稿周期： 約4.7個(gè)月
《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國(guó)際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評(píng)論文章和綜述文章，及時(shí)報(bào)道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預(yù)警名單。該期刊享有很高的科學(xué)聲譽(yù)，影響因子不斷增加，發(fā)行量也同樣高。
- 2區(qū) 中科院分區(qū)
- Q2 JCR分區(qū)
- 1084 年發(fā)文量
- 2.9 IF影響因子
- 未開放 是否OA
- 165 H-index
- 1954 創(chuàng)刊年份
- Monthly 出版周期
- English 出版語言
IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.
Ieee Transactions On Electron Devices期刊信息
- ISSN：0018-9383
- 出版語言：English
- 是否OA：未開放
- E-ISSN：1557-9646
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否預(yù)警：否
- 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
- 出版周期：Monthly
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1954
- 開源占比：0.0674
- Gold OA文章占比：6.38%
- OA被引用占比：0.0017...
- 出版國(guó)人文章占比：0.22
- 出版撤稿占比：0
- 研究類文章占比：100.00%
Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||
| 5.8 | 0.785 | 1.223 |
|
名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個(gè)指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計(jì)算依據(jù)是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計(jì)算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對(duì)2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量 注：文獻(xiàn)類型包括：文章、評(píng)論、會(huì)議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。
Ieee Transactions On Electron Devices中科院評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)
中科院 2023年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) |
中科院 2022年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) |
中科院 2021年12月舊的升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) |
中科院 2021年12月基礎(chǔ)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) |
中科院 2021年12月升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 否 | 否 | 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) |
中科院 2020年12月舊的升級(jí)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學(xué)科 | 小類學(xué)科 | ||
| 是 | 否 | 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) |
Ieee Transactions On Electron Devices JCR評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
Ieee Transactions On Electron Devices歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)
影響因子
中科院分區(qū)
Ieee Transactions On Electron Devices中國(guó)學(xué)者發(fā)文選摘
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1、Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity
Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151
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2、Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs
Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718
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3、Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering
Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482
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4、Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs
Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498
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5、A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability
Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481
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6、A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity
Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380
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7、Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress
Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645
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8、Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel
Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao
Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325
Ieee Transactions On Electron Devices同類期刊
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應(yīng)用熱工
Applied Thermal Engineering
中科院 2區(qū) JCR Q1
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熱科學(xué)與工程進(jìn)展
Thermal Science And Engineering Progress
中科院 3區(qū) JCR Q1
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巖土學(xué)報(bào)
Acta Geotechnica
中科院 1區(qū) JCR Q1
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IEEE工業(yè)電子交易
Ieee Transactions On Industrial Electronics
中科院 1區(qū) JCR Q1
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分離純化技術(shù)
Separation And Purification Technology
中科院 1區(qū) JCR Q1
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工程快報(bào)
Engineering Letters
中科院 4區(qū) JCR Q4
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國(guó)際熱科學(xué)雜志
International Journal Of Thermal Sciences
中科院 2區(qū) JCR Q1
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科學(xué)儀器回顧
Review Of Scientific Instruments
中科院 4區(qū) JCR Q3
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