Journal Of Crystal Growth SCIE
國際簡稱：J CRYST GROWTH 參考譯名：晶體生長雜志
主要研究方向：化學-晶體學 非預警期刊 審稿周期： 約2.6個月 約10周
《晶體生長雜志》(Journal Of Crystal Growth)是一本由Elsevier出版的以化學-晶體學為研究特色的國際期刊，發表該領域相關的原創研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領域相關理論、實踐和應用學科的最新發現，旨在促進該學科領域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。
- 4區 中科院分區
- Q3 JCR分區
- 306 年發文量
- 1.7 IF影響因子
- 未開放 是否OA
- 136 H-index
- 1967 創刊年份
- Biweekly 出版周期
- Multi-Language 出版語言
The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.
Journal Of Crystal Growth期刊信息
- ISSN：0022-0248
- 出版語言：Multi-Language
- 是否OA：未開放
- E-ISSN：1873-5002
- 出版地區：NETHERLANDS
- 是否預警：否
- 出版商：Elsevier
- 出版周期：Biweekly
- 創刊時間：1967
- 開源占比：0.0379
- Gold OA文章占比：16.22%
- OA被引用占比：0.0202...
- 出版國人文章占比：0.24
- 出版撤稿占比：0
- 研究類文章占比：100.00%
Journal Of Crystal Growth CiteScore評價數據（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數 | ||||||||||||||||
| 3.6 | 0.379 | 0.768 |
|
名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發表的文件的引用數量÷2019-2022年發布的文獻數量 注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節和數據論文。
Journal Of Crystal Growth中科院評價數據
中科院 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 材料科學 | 4區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區 4區 4區 |
中科院 2022年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區 4區 4區 |
中科院 2021年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 | 3區 3區 4區 |
中科院 2021年12月基礎版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理 | 4區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 |
中科院 2021年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 | 3區 3區 4區 |
中科院 2020年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 材料科學 | 3區 | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 | 3區 3區 4區 |
Journal Of Crystal Growth JCR評價數據（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
Journal Of Crystal Growth歷年數據統計
影響因子
中科院分區
Journal Of Crystal Growth中國學者發文選摘
-
1、Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 612, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127058
-
2、Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127029
-
3、Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 613, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127211
-
4、Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127035
-
5、Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127026
-
6、Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
-
7、Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127007
-
8、Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua
Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127046
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